TMR效應(yīng)基于電子的自旋效應(yīng)，在磁性釘扎層和磁性自由層中間間隔有絕緣體或半導(dǎo)體的非磁層的磁性多層膜結(jié)構(gòu)，由于在磁性釘扎層和磁性自由層之間的電流通過基于電子的隧穿效應(yīng)，因此稱這一多層膜結(jié)構(gòu)稱為磁性隧道結(jié)（MTJ, Magnetic Tuunel Junction）。這種磁性隧道結(jié)在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴于兩個(gè)鐵磁層（磁性釘扎層和磁性自由層）磁化強(qiáng)度的相對(duì)取向。當(dāng)磁性自由層在外場的作用下，其磁化強(qiáng)度方向改變，而釘扎層的磁化方向不變，此時(shí)兩個(gè)磁性層的磁化強(qiáng)度相對(duì)取向發(fā)生改變，則可在橫跨絕緣層的的磁性隧道結(jié)上觀測到大的電阻變化，這一物理效應(yīng)正是基于電子在絕緣層的隧穿效應(yīng)，因此稱為隧道磁電阻效應(yīng)（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是說TMR磁傳感器是利用磁場的變化來引起磁電阻變化，另一方面，我們可以通過觀測TMR磁傳感器的電阻變化來測量外磁場的變化。所以我們可以認(rèn)為TMR傳感器就是一個(gè)電阻，只是TMR傳感器的電阻值隨外加磁場值的變化，其阻值發(fā)生改變。

01TMR線性磁傳感器

02TMR電流傳感器

03TMR角度傳感器